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epson晶振在振蕩回路設計的注意事項

本文由日本epson官方網站提供,從驅動能力、負載電容和振蕩補償三個方面介紹了使用愛普生晶振時對設計振蕩回路時需要注意的事項。南京南山作為日本進口晶振愛普生原廠直接授權代理商,可提供晶振設計選型中的技術支持,歡迎咨詢:電話:025-52188228轉8016;郵箱:tech@nscn.com.cn 。如需詢價,請咨詢在線客服或400-888-5058.以下是《epson晶振在振蕩回路設計的注意事項》正文:

1. 晶體振蕩器的驅動能力

驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
  驅動能力 (P) = i2?Re

其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2
晶體單元的等效電路 振蕩電路
晶體單元的等效電 振蕩電路

2. 負極電阻對晶振振蕩補償?shù)挠绊?/h3> 除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
晶體單元和振蕩器 負極電阻檢查
晶體單元和振蕩器 負極電阻檢查
  1. 將電阻(r)跟晶體單元按串聯(lián)方式連接到電路。
  2. 調整(r),使得 振蕩發(fā)生(或停止)。
  3. 當振蕩剛啟動(或停止)時,如(2)所述,測量(r)。
  4. 推薦的(r)
    (r) > CI ×(5至 10)

3. 晶振負載電容對頻率偏差的影響

如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負載電容特征圖器 振蕩回路參數(shù)設置參考
頻率和負載電容特征圖
 
振蕩回路參數(shù)設置參考
 

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