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N溝道MOSFET
N溝道MOSFET是一種電壓控制器件,它分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。在N溝道MOSFET中,輕摻雜的P型襯底可以形成器件本體,而源極和漏極區(qū)用N型雜質(zhì)重?fù)诫s。源極和主體通常連接到接地端子,一旦向柵極端子施加正電壓,由于柵極的正性和等效電容效應(yīng),P型襯底的少數(shù)電荷載流子就會(huì)吸引到柵極端子。P型襯底的多數(shù)電荷載流子(如電子)和少數(shù)電荷載流子將被吸引到柵極端子,使其通過(guò)電子與空穴的復(fù)合在介電層下方形成一個(gè)未覆蓋的負(fù)離子層。如果不斷增加正柵極電壓,復(fù)合過(guò)程將在閾值電壓水平之后達(dá)到飽和,然后像電子一樣的電荷載流子將開(kāi)始在該位置聚集,形成自由電子傳導(dǎo)通道。這些自由電子也將來(lái)自重?fù)诫s源,并耗盡N型區(qū)。如果在漏極端施加+ve電壓,那么電流將在整個(gè)通道中流動(dòng)。因此,溝道電阻將取決于溝道內(nèi)的電子等自由電荷載流子。同樣,這些電子將取決于該溝道內(nèi)器件的柵極電位。當(dāng)自由電子濃度形成通道時(shí),由于柵極電壓的增加,整個(gè)通道的電流將增強(qiáng) 。
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友順(UTC) N溝道MOSFET
品牌: 友順(UTC)友順股份N溝道
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新潔能(NCE) N溝道MOSFET
品牌: 新潔能(NCE)新潔能提供質(zhì)量可靠、品種齊全、性能卓越的車規(guī)級(jí)功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,雙通道MOSFET,IGBT,上述車規(guī)級(jí)功率器件均已通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證。
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長(zhǎng)晶(JSCJ) N溝道MOSFET
品牌: 長(zhǎng)晶(JSCJ)江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司N溝道